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Si4904DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
I D = 5 A
20
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
0.06
0.04
T A = 125 °C
0.02
T A = 25 °C
0.01
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V SD – So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
V GS – Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
0
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
50
40
30
- 0.2
20
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J – Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS – Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73793
S09-0540-Rev. C, 06-Apr-09
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